HIKSEMI WAVE(P) 512GB M.2 PCIE : HS-SSD-WAVE(P) 512G (3Y)
โทนเป็นทางการและมืออาชีพ:
เพิ่มประสิทธิภาพการบริหารจัดการข้อมูลและความคุ้มค่าในระบบไอทีขององค์กรด้วย HIKSEMI WAVE(P) 512GB (HS-SSD-WAVE(P) 512G) อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลประเภท Solid State Drive มาตรฐาน M.2 2280 ขับเคลื่อนด้วยอินเตอร์เฟสเชื่อมต่อระบบ PCIe บนสถาปัตยกรรมชิปความจำ 3D NAND มอบความเร็วในการอ่านข้อมูลลำดับขั้นสูงสุด 2,500 MB/s และความเร็วในการเขียนข้อมูล 1,025 MB/s รองรับการติดตั้งระบบปฏิบัติการหลักและการสำรองข้อมูลทั่วไปได้อย่างมีเสถียรภาพ มั่นใจได้ในการใช้งานระยะยาวด้วยการรับประกันอย่างเป็นทางการยาวนาน 3 ปีเต็ม สำหรับสถานประกอบการและสำนักงานยุคใหม่
● เทคโนโลยีจัดเก็บข้อมูลโครงสร้าง 3D NAND มอบความเสถียรบนขนาดความจุ 512GB
ตัวการ์ดจัดเก็บข้อมูลเลือกใช้เทคโนโลยีสถาปัตยกรรมชิปความจำประเภท 3D NAND คุณภาพได้มาตรฐาน มอบมิติการจัดวางเซลล์ข้อมูลที่ปลอดภัยและเสถียร บนพิกัดความจุขนาด 512.00 GB รองรับการติดตั้งระบบปฏิบัติการได้อย่างลงตัว
● อัตราความเร็วการอ่านข้อมูลลำดับขั้นสูงสุด Sequential Read ทำสปีดได้ถึง 2,500 MB/s
ชูจุดเด่นด้วยขีดความสามารถในการอ่านข้อมูลลำดับขั้นสูงสุด (Sequential Read) ที่ทำความเร็วได้สูงถึง 2,500 เมกะไบต์ต่อวินาที ช่วยเร่งความเร็วในการโหลดไฟล์งาน เปิดโปรแกรม และเข้าถึงข้อมูลต่างๆ ได้อย่างรวดเร็วทันใจ
● อัตราความเร็วการเขียนข้อมูลลำดับขั้นสูงสุด Sequential Write สปีดต่อเนื่องคงที่ 1,025 MB/s
รองรับประสิทธิภาพในการบันทึกและเขียนข้อมูลลำดับขั้นสูงสุด (Sequential Write) ได้สูงสุดถึง 1,025 เมกะไบต์ต่อวินาที ยกระดับการเซฟงานเอกสาร คัดลอกไฟล์ และจัดการชุดข้อมูลทั่วไปในชีวิตประจำวันได้อย่างราบรื่น
● ขีดความสามารถการเข้าถึงชุดข้อมูลแบบสุ่ม Random Write ทำความเร็วได้สูงถึง 225,000 IOPS
เพียบพร้อมด้วยพลังการประมวลผลและจัดการชุดข้อมูลขนาดเล็กได้อย่างฉับไว โดยมีค่าสุ่มเขียนข้อมูลสูงถึง 225,000 IOPS และค่าสุ่มอ่านข้อมูล (Random Read) อยู่ที่ 55,000 IOPS ตอบสนองต่อคำสั่งงานทั่วไปได้เป็นอย่างดี
เราใช้คุกกี้เพื่อมอบประสบการณ์การใช้งานที่ดีที่สุดแก่ผู้ใช้บนเว็บไซต์ของเรา เช่นเดียวกับการปรับแต่งเนื้อหาและโฆษณา เพื่อให้บริการฟีเจอร์โซเชียลมีเดียและวิเคราะห์ปริมาณการใช้งาน คุกกี้เหล่านี้รวมถึงคุกกี้สื่อเป้าหมายและคุกกี้ ข้อมูลเพิ่มเติม